離子切割的加工原理與電子束加工基本類似,也是在真空條件下,將離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)加速后撞擊在工件表面上,引起材料變形,破壞分離。由于離子帶正電荷,其質(zhì)量是電子的千萬(wàn)倍,因此離子束加工主要靠高速離子束的微觀機(jī)械撞擊動(dòng)能,因此,離子束撞擊工件將引起變形、分離、玻壞等機(jī)械作用,而不像電子束是通過(guò)熱效應(yīng)進(jìn)行加工。
在真空室中將離子源產(chǎn)生的離子引出,并在電場(chǎng)中加速,形成幾十電子伏到幾十千電子伏能量的離子束。在離子束濺射沉積、離子束直接沉積或電子束蒸發(fā)沉積薄膜的同時(shí),用上述離子束進(jìn)行轟擊(也可先鍍膜后轟擊)。利用沉積原子和轟擊離子之間一系列的物理化學(xué)作用,可在常溫下合成各種優(yōu)質(zhì)薄膜。其關(guān)鍵技術(shù)是離子源、靶室和工藝參數(shù)的控制。
離子源是產(chǎn)生所需離子的關(guān)鍵部件,它的種類與質(zhì)量決定著制備膜層的性能和質(zhì)量。離子源的種類不下二、三十種,用于離子束材料表面改性的也有十多種。
離子切割的主要加工特點(diǎn)如下:
1.離子束轟擊工件時(shí),其束流密度和能量可以準(zhǔn)確控制;
2.離子束加工在真空中進(jìn)行,污染少,特別適合加工高純度的半導(dǎo)體材料及易氧化的金屬材料;
3.離子束加工的宏觀壓力小,因此加工應(yīng)力小,熱變形小,加工表面質(zhì)量高,適合于各種材料和低剛度零件的加工。